后摩尔时代半导体技术的演进路径与颠覆性技术预测

分类： 信息资源管理 发布时间： 2025-04-24

关皓元 马渊博 陈相

摘要：[目的/意义]当前，摩尔定律已达到性能极限，半导体工艺研发成本也随之大幅度增长，传统制程微缩红利正加速衰减，亟需颠覆性的技术创新打破技术瓶颈。聚焦后摩尔技术路径，为预测半导体的技术发展方向，提前进行产业布局，明确未来半导体的核心技术，具有重要意义。[方法/过程]通过构建半导体专利分析框架，研究LDA主题模型，结合Gartner技术成熟度曲线理论，以及DARPA的“电子复兴计划”评估框架方法，构建面向后摩尔时代的技术监测体系，识别出潜在颠覆性技术，建立ARIMA模型，预测出近10年可能出现的技术时间拐点。[结果/结论]研究创新性地提出磁性隧道、单电子晶体管、NEMS、MEMS、量子点器件等新型半导体器件在2026—2027年，系统级封装、硅通孔、玻璃通孔、TSV、MEMS等先进封装技术在2026等将成为关键转折点。研究结果为半导体产业战略布局提供决策依据。

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